社名
社名非公開
職種
プロジェクトマネージャー、ディレクター
業務内容
募集背景 当社グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後さらに開発を加速するため、開発の要となるエピタキシャル薄膜成長を担うことができる仲間を募集いたします。仕事内容 ■パワー半導体の研究開発・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発・エピ成長した薄膜の解析・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案・開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
求められる経験
<必要な業務経験/スキル>
...
MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験(3年以上)
<望ましい業務経験/スキル>
窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
<望ましい資格>
・現場作業安全に関連する資格(危険物取扱者、特化則、有機則など)
<求める人物像>
・自分自身で仮説を立て、それを検証するための手段を積極的に立案し、自ら推進できる方。
・協調性があり、関係部署メンバーとコミュニケーションしながら、周囲を巻き込んで業務遂行できる方。
・困難があっても、前向きに粘り強く課題に挑戦していける方。
保険
健康保険,厚生年金保険,雇用保険,労災保険
休日休暇
日曜日,土曜日,祝日
給与
年収600 ~ 1,000万円
賞与
年2回
雇用期間
期間の定めなし
show more
社名
社名非公開
職種
プロジェクトマネージャー、ディレクター
業務内容
募集背景 当社グループではAlN基板を用いた新規デバイスの開発を行っています。これまでに世界初のUV-Cレーザーダイオードの室温連続発振や縦型p-nダイオードなどの成果を実現しており、今後さらに開発を加速するため、開発の要となるエピタキシャル薄膜成長を担うことができる仲間を募集いたします。仕事内容 ■パワー半導体の研究開発・AlN基板上のエピタキシャル成長技術の開発・エピ成長した薄膜の解析・Simulation等によるエピ構造やデバイス構造の工夫や改善提案・開発メンバーへの情報共有化、生産技術適用に向けた検討
求められる経験
<必要な業務経験/スキル>
MOCVDまたはMBEを用いた化合物半導体薄膜成長技術の経験(3年以上)
<望ましい業務経験/スキル>
窒化物半導体薄膜成長または化合物半導体デバイスプロセスの経験
<望ましい資格>
・現場作業安全に関連する資格(危険物取扱者、特化則、有機則など)
<求める人物像>
・自分自身で仮説を立て、それを検証するための手段を積極的に立案し、自ら推進できる方。
・協調性があり、関係部署メンバーとコミュニケーションしながら、周囲を巻き込んで業務遂行できる方。
・困難があっても、前向きに粘り強く課題に挑戦していける方。
保険
健康保険,厚生年金保険,雇用保険,労災保険
休日休暇
日曜日,土曜日,祝日
給与
年収600 ~ 1,000万円
賞与
年2回
雇用期間
期間の定めなし