社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
・パワーデバイスの技術発展の動向を洞察し、新技術の評価導入、技術的ブレークスルー及び製品の実現、コア特許のパテントポートフォリオを担当し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザインモデリングと回路応用技術の研究と技術開発を担当し、デバイスの信頼性と故障解析、プロセスチームと協力してデバイスプロセスの最適化を行う。・パワーデバイスのデザイン開発フローの構築と最適化を担当し、高品質で高効率、かつ準拠可能な先進のパワーデバイス開発プラットフォームを構築できるようチームをマネジメントする。
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求められる経験
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、最低8年以上のパワーデバイス分野(SiC/GaN/Si)の研究・技術開発の経験を持ち、直近の5年間におけるパワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発に従事した経験が必須条件。複数の製品の成功経験があり、該当製品が業界トップレベルの製品競争力を有する。
・パワー半導体デバイスの原理に精通し、一つ又は複数のプロセスプラットフォームのモデルパラメータ抽出に精通していること。さらにデバイスのモデルを確立し、デバイスの電気性能シミュレーション最適化と構造デザインを完成させ、デバイスの信頼性分析と特性テストの方法に精通していること。
・良好なコミュニケーション能力、協調力、コーディネート力を持ち、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収800 ~ 2,000万円
賞与
-
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社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
・パワーデバイスの技術発展の動向を洞察し、新技術の評価導入、技術的ブレークスルー及び製品の実現、コア特許のパテントポートフォリオを担当し、製品開発の成功及び持続的な競争力のリードをサポートする。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザインモデリングと回路応用技術の研究と技術開発を担当し、デバイスの信頼性と故障解析、プロセスチームと協力してデバイスプロセスの最適化を行う。・パワーデバイスのデザイン開発フローの構築と最適化を担当し、高品質で高効率、かつ準拠可能な先進のパワーデバイス開発プラットフォームを構築できるようチームをマネジメントする。
求められる経験
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、最低8年以上のパワーデバイス分野(SiC/GaN/Si)の研究・技術開発の経験を持ち、直近の5年間におけるパワーデバイス(SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、Si IGBT)のデザイン開発に従事した経験が必須条件。複数の製品の成功経験があり、該当製品が業界トップレベルの製品競争力を有する。
・パワー半導体デバイスの原理に精通し、一つ又は複数のプロセスプラットフォームのモデルパラメータ抽出に精通していること。さらにデバイスのモデルを確立し、デバイスの電気性能シミュレーション最適化と構造デザインを完成させ、デバイスの信頼性分析と特性テストの方法に精通していること。
・良好なコミュニケーション能力、協調力、コーディネート力を持ち、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収800 ~ 2,000万円
賞与
-