社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
・パワーデバイス分野における技術的競争力向上の第一責任者として、パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)の技術力構築及びチームビルディングを担当する。チームを率いて、製品の技術的競争力業界ナンバーワンを目指し、さらに競争力をキープしつつ、継続的にビジネスを成功へ導く。・パワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における先端技術の初期研究と技術的なレイアウトを主導し、本部と連携して技術ロードマップを制定し、持続的な技術ブレークスルーを実現させる。・日本の良好なパワーデバイスのエコシステムと学術界を構築し、日本の優位性のあるパートナリソースに基づいて技術協力と技術的模索を行う。
...
power device chief scientist.
- posted 29 march 2024
- closes 28 march 2025
experience
・半導体/電子/物理/材料などの関連分野を専攻し、最低10年以上のパワーデバイス分野(SiC/GaN/IGBT)における研究開発経験と技術マネジメントの経験のある方。 ・高度かつ先進的でグローバルな視
the application process.
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