high power gan laser chip expert.

社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。・優れた学習能力、問題解

社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。求められる経験・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。保険健康保険　厚生年金保険　雇用保険休日休暇土曜日　日曜日　祝日給与年収800 ～ 2,000万円

社名社名非公開職種プロセスエンジニア, プロセス開発業務内容・SiCパワー半導体プロセスインテグレーション構築を担当していただきます。・部分工程であるプロセスモジュールインテグレーションの構築を進めていただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発にプロセスインテグレーターとして貢献していただきます。・最新のパワー半導体製造プロセスを調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・プロセス設備導入に際して、設備選定等に助言をいただきます。・革新的で競争力のあるプロセスプラットフォームを構築していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体またはそのプロセス技術の研究・開発・製造における経験を持ち、SiCプロセスインテグレーション開発業務に精通している。・プロセスシミュレータに精通し、高性能SiCパワー半導体プロセス開発を推進できる。・半導体新工場の建設、設備選定、導入などのプロセスに精通している。・半導体プロセス技術開発、プロセス設備開発、プロセス設備