社名
社名非公開
職種
プロセスエンジニア, プロセス開発
業務内容
酸化物TFTデバイスの技術エキスパートとして、次世代のディスプレイ技術開発を担当。当社内部ディスプレイチームと協力するだけでなく、材料メーカー、装置メーカー、及びディスプレイパネルメーカーと相互協力を行い、新テクノロジーを構築します。革新的なデバイス開発だけでなく、デバイス設計から実用化までに現れる課題や、製品における課題の解決も担当していただきます。【業務内容】・酸化物TFTデバイスの開発（IGZO、LTPS、その他の新規TFTデバイス）のプロセス開発とデバイス設計を担当・TFTデバイス材料とその材料選択、及びその製造プロセス、ＴＦＴデバイス構造設計と電気的特性、OLED材料及びそのプロセスとの整合性の検討・活性化、界面、絶縁体などに起因するTFTの不安定性など、TFTデバイスへの要件を理解し解決・TFTデバイスに関連する寄生容量や寄生抵抗に関連する問題を解決・チャネルキャリアの制御のための界面条件と薄膜構造の最適化・TFTデバイスの信頼性解析と、その課題の発見と解決・投資かつ実現が可能なプロセスインテグレーションを提案、及びその製造装置およびその環境の最適化の提案
...
【大手電機機器メーカー】tft device and backplane process expert.
- posted 4 july 2024
- closes 14 july 2025
experience
必須要件 ・材料、化学、物理学、半導体技術の専門知識を有し、学士号以上の資格を有す ・酸化物TFTデバイス、その他TFTデバイス開発の１０年以上の実務経験 ・TFTデバイスの構造とその物理的・電気的振
the application process.
See what comes ahead in the application process. Find out how we help you land that job.
related jobs.
see all jobs- 社名社名非公開職種機構設計、メカニカルエンジニア業務内容◆配属する事業部について：電機業界の中で映像システムを通じてビジネス・公共事業に社会貢献し、お客様に必要な商材・サービスを幅広く提供しております。当部門の役割は、プロジェクターおよびその周辺機器における機構設計/光学設計/冷却設計と、これらの要素開発の推進です。機構/冷却商品設計（技術一課）、光学商品設計（技術二課）、プロジェクターの要素開発（開発一課）、新商材の要素開発(開発二課）という4つの課で構成されています。・ ビジュアル事業のミッション：映像ソリューションの提供により、世界中の人々を感動と笑顔で満たす。◆具体的な業務内容業務用プロジェクターを主軸とした映像表示機器の開発業務・新規商品の設計仕様の確立、基本構造設計・3D-CADを用いた、機構構造設計、部品の図面化・各種試験評価を含む構造、設計検証の実施・調達、工場(国内/海外）、品証など関連部門との調整/折衝を通じた商品の量産化の推進求められる経験【必須】・3D-CADを用いた商品設計開発の経社名社名非公開職種機構設計、メカニカルエンジニア業務内容◆配属する事業部について：電機業界の中で映像システムを通じてビジネス・公共事業に社会貢献し、お客様に必要な商材・サービスを幅広く提供しております。当部門の役割は、プロジェクターおよびその周辺機器における機構設計/光学設計/冷却設計と、これらの要素開発の推進です。機構/冷却商品設計（技術一課）、光学商品設計（技術二課）、プロジェクターの要素開発（開発一課）、新商材の要素開発(開発二課）という4つの課で構成されています。・ ビジュアル事業のミッション：映像ソリューションの提供により、世界中の人々を感動と笑顔で満たす。◆具体的な業務内容業務用プロジェクターを主軸とした映像表示機器の開発業務・新規商品の設計仕様の確立、基本構造設計・3D-CADを用いた、機構構造設計、部品の図面化・各種試験評価を含む構造、設計検証の実施・調達、工場(国内/海外）、品証など関連部門との調整/折衝を通じた商品の量産化の推進求められる経験【必須】・3D-CADを用いた商品設計開発の経
- 社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。・優れた学習能力、問題解社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。・優れた学習能力、問題解
- 社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。求められる経験・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。保険健康保険 厚生年金保険 雇用保険休日休暇土曜日 日曜日 祝日給与年収800 ～ 2,000万円社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。求められる経験・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。保険健康保険 厚生年金保険 雇用保険休日休暇土曜日 日曜日 祝日給与年収800 ～ 2,000万円
