社名
社名非公開
職種
回路設計、制御設計
業務内容
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
求められる経験
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
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・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収800 ~ 2,000万円
賞与
-
雇用期間
期間の定めなし
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社名
社名非公開
職種
回路設計、制御設計
業務内容
・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。
求められる経験
・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。
・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。
・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。
保険
健康保険 厚生年金保険 雇用保険
休日休暇
土曜日 日曜日 祝日
給与
年収800 ~ 2,000万円
賞与
-
雇用期間
期間の定めなし