社名
社名非公開
職種
製品開発エンジニア
業務内容
ディスプレイPQアルゴリズム開発に関する技術者を募集します。創造性・経験を存分に生かし、社内の事業部門・技術部門および外部サプライヤーと協調して、将来に向けたディスプレイモジュール技術の開発に従事していただきます。 · ディスプレイ用画質改善アルゴリズム開発· 次世代画質改善IP設計ならびにPQ LSI設計・開発サポート· ディスプレイの画質評価ならびに課題の分析業界のテクノロジーの動向を追跡し、新規技術の提案、開発
求められる経験
下記のいずれかの能力・経験を有すること
...
【大手電機機器メーカー】display pq algorithm expert.
- posted 4 july 2024
- closes 14 july 2025
experience
<必須要件> 下記のいずれかの能力・経験を有すること 1. OLED向け画像処理アルゴリズム開発経験（IR drop補正、DeMura, など） 2. C,C++,C#,Java,Py
the application process.
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- 社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。・優れた学習能力、問題解社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・SiCパワーデバイスの研究及び開発を担当していただきます。・業界に先んじて最先端、高性能かつ高信頼な競争力の高いパワーデバイスの研究開発を担当していただきます。・最新のパワー半導体関連技術を調査・研究し、開発テーマを提案していただきます。・必要に応じ開発ツールの導入を推進していただきます。求められる経験・おおよそ20年以上の半導体関連技術の業務経験および10年以上のSiCパワーデバイス研究開発経験を持ち、これらの半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に精通している。・基本的なプロセスや高性能デバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を持つ。・パワーデバイス信頼性評価技術に精通し、高信頼なパワー半導体製品開発ができる。・EDAソフトウェアツールに精通し、パワーデバイス設計が行える。・最新のパワー半導体技術に詳しく、学会や業界に対し広い人脈を持つ。・パワー半導体マーケット全般の動向に対し高い情報収集能力を持つ。・優れた学習能力、問題解
- 社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。求められる経験・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。保険健康保険 厚生年金保険 雇用保険休日休暇土曜日 日曜日 祝日給与年収800 ～ 2,000万円社名社名非公開職種回路設計、制御設計業務内容・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)のデザイン開発とテスト検証を担当し、プロセスチームと協力してデバイス加工とプロセスの最適化を行う。・高性能パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の個別技術をフォローアップし、既存のデバイスの性能を向上させ、パテントポートフォリオを提案して実現させる。求められる経験・半導体/電子/物理などの関連分野を専攻し、5年以上のパワーデバイスのデザイン開発経験(直近の3年間には関連のデザイン開発の従事が必須)、または優秀な博士課程の新卒者。・パワーデバイス(SiC MOSFET/SBD)の基本構造とデバイスシミュレーションデザイン方法に精通し、TCADソフトやレイアウトソフトを使用しデバイスデザインが得意な方。・良好なコミュニケーション能力があり、異なる地域や異なる文化背景のチームと良好なコミュニケーションがとれる方。保険健康保険 厚生年金保険 雇用保険休日休暇土曜日 日曜日 祝日給与年収800 ～ 2,000万円
